三星目标5年内超越台积电，承认4nm工艺目前落后两年

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，据 Hankyung 报道，三星半导体今天早些时候在 KAIST举行了一场演讲，三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半导体将赶上竞争对手台积电的未来愿景。

Kye Hyun Kyung 承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说，三星的 4nm 技术比台积电落后大约两年，而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。

不过，Kye Hyun Kyung也表示，但等到 2nm 就会发生变化，并大胆预测:“我们可以在五年内超越台积电。”

三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around技术。相比之下，台积电在达到 200 万产量之前不会使用 GAA。

GAA 是一种生产工艺，可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺更小、能耗更低(50%)的芯片。Kye Hyun Kyung 称“客户对三星电子的 3nm GAA 工艺的反映很好”。

Kye Hyun Kyung 还表示，三星预计存储半导体在开发 AI 服务器方面将变得更加重要，并超过英伟达 GPU，并称三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机能够在 2028 年问世”。

据IT之家此前报道，近期三星称，其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水准，下一代 4nm 制程将提供更高的良率。

业内消息人士透露，美国芯片巨头 AMD 公司已经选择了三星电子作为其 4nm 处理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也将委托三星电子生产其 Pixel 8 智能手机的 Tensor 3 芯片，采用三星电子第三代 4nm 工艺节点。

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