国内首条，昕原半导体28/22nmReRAM12寸中试线通线试产：除了台

最近几天，杭州昕原半导体主导建设的国内首条 28/22nm ReRAM12 寸中试生产线顺利完成自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片。

据介绍，昕原半导体成立于 2019 年，专注于 ReRAM 新型存储器产品及相关衍生产品的研发，已成长为国内新型存储器技术的头部企业，也是国际上新型存储器产品商业化最快的公司公司开发的 ReRAM 存储器具有密度高，能耗低，读写速度快及下电数据保存的特点，可形成未来存储架构的最后一级缓存，消除内存与外存间的存储墙作为最具潜力的下一代主力存储器，ReRAM 能广泛应用于人工智能，工业控制，消费电子，汽车，物联网，云计算等领域

图源:昕原半导体

据杭州日报报道，传统 CMOS 代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，但没有标准的 12 寸量产产线，实验成果往往很难走向量产昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM12 寸中试生产线就解决了上述问题汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快，产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得 ReRAM 相关产品的快速实现变成了可能

昕原半导体相关负责人表示，目前在 ReRAM 领域国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现弯道超车提供了可能目前该公司是除台积电外，唯一一家在 28nm / 22nm 先进制程 ReRAM 实现量产的公司

存储芯片中除了NAND闪存及DRAM内存之外，还有多种技术选择，ReRAM就是其中一种，其写入寿命可达100万次，此前主要是生产难度大，现在杭州昕原半导体主导建设了国内首条28/22nmReRAM12寸中试生产线。

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